起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 27.66787 | 27.66787 |
| 10+ | 24.86487 | 248.64876 |
| 100+ | 20.37065 | 2037.06560 |
| 500+ | 18.16809 | 9084.04500 |
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1200 V，8 A单电缆槽™ TO-247封装中的IGBT3由于沟槽单元和场阻概念的结合，提供了器件静态和动态性能的显著改善。IGBT与软恢复发射极控制二极管的组合进一步减小了导通损耗。由于开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷，达到了最高效率。
潜在应用
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IGW40N65H5 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 | ¥16.95998 |
 | IGW40N65F5 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 | ¥40.91328 |
 | IGW50N65H5 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | ¥18.22893 |
 | IGW50N60H3FKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 333 W 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥40.56024 |
 | IGW75N60TFKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 428 W 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥53.16289 |
 | IGW100N60H3 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥83.0877 |
| IGW75N60T | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥35.98925 |
| IGW15N120H3 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥38.35949 |
| IGW30N60T | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥21.62844 |
| IGW40N120H3 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥36.52033 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
