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STGW30NC60WD

  • 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 200瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 20.62198 20.62198
  • 库存: 10
  • 单价: ¥20.62199
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥20.62
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 最大集电极电流 (Ic) 60 A
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大整流电流 (Icm) 150 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.5V @ 15V, 20A
  • 最大功率 200瓦
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 反向恢复时长 (trr) 40纳秒
  • 试验条件 390V, 20A, 10欧姆, 15V
  • 门电荷 102 nC
  • 开关能量 305J (on), 181J (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 29.5ns/118ns

STGW30NC60WD 产品详情

STGW30NC60WD是一种600V超快IGBT,采用先进的功率MESH™ 这在开关性能和低导通状态行为之间产生了极好的折衷。IGBT非常适合用于硬开关和谐振拓扑中的高频、SMPS和PFC。随着温度的升高,关断能量分布得到改善,从而降低了开关损耗。

特色

  • 高频操作
  • 较低的CRES/CIES比率(无交叉传导敏感性)
  • 极软超快恢复反并联二极管
  • 低VCE(sat)可降低传导损耗
  • 紧凑的参数分布,简化设计,易于并联
STGW30NC60WD所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGW30NC60WD 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGW30NC60WD价格参考¥20.621985,你可以下载 STGW30NC60WD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGW30NC60WD规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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