STGP5H60DF

Name: STGP5H60DF
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7171744-STGP5H60DF
Price: 10.791921 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 10A 最大功率: 88 W 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

渠道:

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	11.80592	11.80592
10+	10.58187	105.81877
100+	8.24966	824.96630
500+	6.81498	3407.49450
1000+	5.70631	5706.31900

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规格参数

部件状态可供货
输入类别标准
安装类别通孔
集电极击穿电压 600 V
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
最大集电极电流 (Ic) 10A
IGBT型场终止沟道
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
包装/外壳至220-3
最大整流电流 (Icm) 20A
供应商设备包装 TO-220
试验条件 400V, 5A, 47欧姆, 15V
最大功率 88 W
门电荷 43 nC
开通/关断延时 (25°C) 30ns/140ns
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.95伏@15伏，5A
开关能量 56J (on), 78.5J (off)
反向恢复时长 (trr) 134.5 ns

STGP5H60DF 产品详情

该IGBT采用先进的PowerMESH？这在切换性能和低导通状态行为之间产生了极好的折衷。

特色

较低的电压降（V_{行政长官（sat）})
极软超快恢复反并联二极管
下部C_{皇家经济学会}/C类_信息系统比率（无交叉传导敏感性）
短路耐受时间10μs

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STGP5H60DF所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGP5H60DF 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGP5H60DF价格参考￥10.791921，你可以下载 STGP5H60DF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGP5H60DF规格参数、现货库存、封装信息等信息！