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STGW30NC120HD

  • 描述:集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 220瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 37.37336 37.37336
10+ 33.56359 335.63599
100+ 27.49911 2749.91180
500+ 23.40934 11704.67150
1000+ 23.28157 23281.57800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥33.96920
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥37.37
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 最大集电极电流 (Ic) 60 A
  • 集电极击穿电压 1200伏
  • 最大整流电流 (Icm) -
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 门电荷 110 nC
  • 最大功率 220瓦
  • 试验条件 960V、20A、10欧姆、15V
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.75V @ 15V, 20A
  • 开关能量 1.66mJ(开),4.44mJ(关)
  • 开通/关断延时 (25°C) 29ns/275ns
  • 反向恢复时长 (trr) 152 ns

STGW30NC120HD 产品详情

STGW30NC120HD是一种N信道非常快的PowerMESH™ IGBT用于感应加热和软开关应用。STMicroelectronics采用基于其专利条带布局的最新高压技术,设计了一系列性能卓越的先进IGBT。后缀H表示为高频应用而优化的系列,以实现非常高的开关性能(减少tfall),保持低电压降。

特色

  • 损失低
  • 低压降(Vcesat)
  • 高电流能力
  • 高输入阻抗(电压驱动)
  • 低栅极电荷

STGW30NC120HD所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGW30NC120HD 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGW30NC120HD价格参考¥33.969201,你可以下载 STGW30NC120HD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGW30NC120HD规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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