久芯网

STGF10NB60SD

  • 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 23 A 最大功率: 25瓦 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 10.16263 10.16263
10+ 8.65978 86.59785
50+ 7.84004 392.00240
  • 库存: 4
  • 单价: ¥10.16264
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10.16
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 最大集电极电流 (Ic) 23 A
  • 最大整流电流 (Icm) 80 A
  • 反向恢复时长 (trr) 37 ns
  • 门电荷 33 nC
  • 供应商设备包装 TO-220FP
  • 最大功率 25瓦
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.75V@15V,10A
  • 开关能量 600J (on), 5mJ (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 700ns/1.2s
  • 试验条件 480V, 10A, 1kOhm, 15V

STGF10NB60SD 产品详情

STGF10NB60SD是一款具有软、快速恢复二极管的低压降IGBT。该IGBT采用先进的功率MESH™ 该工艺在低频工作条件下(高达1kHz)具有极低的ON状态电压降。它适用于调光器和静态继电器。

特色

  • 低压降(VCE(sat))
  • 高电流能力
  • 极软超快恢复反并联二极管
STGF10NB60SD所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGF10NB60SD 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGF10NB60SD价格参考¥10.162636,你可以下载 STGF10NB60SD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGF10NB60SD规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部