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IXXK110N65B4H1
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IXXK110N65B4H1

  • 描述:IGBT型: PT 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 240 A 最大功率: 880 W 供应商设备包装: TO-264 (IXXK) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 112.26495 112.26495
10+ 103.14613 1031.46139
100+ 87.11325 8711.32550
500+ 77.49338 38746.69050
1000+ 75.62782 75627.82700
  • 库存: 1
  • 单价: ¥112.26495
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥112.26
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • IGBT型 PT
  • 反向恢复时长 (trr) 100纳秒
  • 包装/外壳 至264-3，至264AA
  • 最大集电极电流 (Ic) 240 A
  • 最大功率 880 W
  • 试验条件 400V, 55A, 2欧姆, 15V
  • 开关能量 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
  • 门电荷 183 nC
  • 开通/关断延时 (25°C) 38ns/156ns
  • 供应商设备包装 TO-264 (IXXK)
  • 最大整流电流 (Icm) 630 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 110A

IXXK110N65B4H1 产品详情

使用我们的专有XPT开发™ 薄晶圆技术和最先进的第四代（GenX4™) IXXK110N65B4H1 IGBT工艺，这些器件具有降低的热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度。此外，它们在短路条件下表现出卓越的耐用性——10µs短路安全工作区（SCSOA）。这些IGBT具有方形反向偏置安全工作区，击穿电压敢达650V，是无缓冲硬开关应用的理想选择。其他质量包括正的集电极到发射极电压温度系数，这使得设计者能够并行使用多个器件以满足高电流要求和低栅极电荷，这有助于降低栅极驱动要求和开关损耗。

特色

  • 低导通状态电压VCE（sat）
  • 针对高速切换进行了优化（最高60kHz）
  • 短路能力（10µs）
  • 方形RBSOA
  • VCE的正热系数（sat）
  • 超快反并联二极管（Sonic FRD™)
  • 国际标准包

应用

  • 蓄电池充电器
  • 灯镇流器
  • 电机驱动装置
  • 功率逆变器
  • 功率因数校正（PFC）电路
  • 开关模式电源
  • 不间断电源（UPS）
  • 焊接机

优势：

  • 硬交换能力
  • 高功率密度
  • 二极管正向电压VF的温度稳定性
  • 低栅极驱动要求

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器件图
型号
制造商
描述
价格
IXXN200N60B3H1IXXN200N60B3H1艾赛斯.力特 (IXYS)IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 780 W 供应商设备包装: SOT-227B¥257.6879
IXXN200N60C3H1IXXN200N60C3H1艾赛斯.力特 (IXYS)IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 780 W 供应商设备包装: SOT-227B¥316.32387
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IXXK110N65B4H1所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），IXXK110N65B4H1 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXXK110N65B4H1价格参考￥112.264950，你可以下载 IXXK110N65B4H1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXXK110N65B4H1规格参数、现货库存、封装信息等信息！

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