STGW60H65DFB

Name: STGW60H65DFB
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7171843-STGW60H65DFB
Price: 17.697910 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 375瓦供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:2-3 工作日

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规格参数

部件状态可供货
集电极击穿电压 650 V
输入类别标准
安装类别通孔
包装/外壳至247-3
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
IGBT型场终止沟道
最大集电极电流 (Ic) 80 A
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
供应商设备包装 TO-247
反向恢复时长 (trr) 60 ns
最大整流电流 (Icm) 240 A
门电荷 306 nC
最大功率 375瓦
试验条件 400V, 60A, 5欧姆, 15V
开关能量 1.09mJ（开），626J（关闭）
开通/关断延时 (25°C) 51ns/160ns
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 60A

STGW60H65DFB 产品详情

IGBT Discretes，STMicroelectronics

特色

高速切换
紧密参数分布
安全并联
低热阻
6μs短路耐受时间
超快软恢复反并联二极管
无铅包装

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STGW60H65DFB所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGW60H65DFB 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGW60H65DFB价格参考￥17.697910，你可以下载 STGW60H65DFB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGW60H65DFB规格参数、现货库存、封装信息等信息！