9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGF30M65DF2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGF30M65DF2价格参考2.89000美元。STMicroelectronics STGF30M65DF2封装/规格：IGBT TRENCH 650V 60A TO220FP。您可以下载STGF30M65DF2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STGF20H60DF是IGBT 600V 40A 37W TO220FP，包括600-650V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-220-3全封装，以及标准输入类型，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-220FP，该设备为单配置，该设备的最大功率为37W，反向恢复时间trr为90ns，集电器Ic最大值为40A，集电器-发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为沟槽磁场停止，集电器脉冲Icm为80A，最大Vge Ic上的Vce为2V@15V，20A，开关能量为209μJ（开）、261μJ（关），栅极电荷为115nC，25°C时的Td为42.5ns/177ns，测试条件为400V、20A、10欧姆、15V，Pd功耗为37 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极-发射极饱和电压为2V，25℃时的连续集电极电流为40A，栅极-发射极漏电流为250nA，最大栅极-发射极电压为20V。
STGF20NB60S是IGBT 600V 24A 40W TO220FP，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在1.7V@15V、20A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130 oz，提供480V、20A、100 Ohm、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，7.4mJ（关断）开关能量，该装置也可用作TO-220FP供应商装置包。此外，该系列是PowerMESH？，该器件提供40W最大功率，该器件有一个封装管，封装盒为TO-220-3全封装，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，最大栅极-发射极电压为+/-20 V，输入类型为标准，栅极电荷为83nC，集电极脉冲Icm为70A，集电极Ic Max为24A，连续集电极电流Ic Max是24A，配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为600V。
带电路图的STGF20V60DF，更多STGF20V6 0DF信息请联系技术支持团队。
