STGW20IH125DF

Name: STGW20IH125DF
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7171862-STGW20IH125DF
Price: 64.128651 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 1250伏最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 259 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:2-3 工作日

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200+	24.82331	4964.66320
500+	23.95103	11975.51600
1000+	23.52014	23520.14400

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规格参数

部件状态可供货
输入类别标准
反向恢复时长 (trr) -
安装类别通孔
包装/外壳至247-3
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
试验条件 600V, 15A, 10欧姆, 15V
IGBT型场终止沟道
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
开关能量 410J (off)
供应商设备包装 TO-247
最大集电极电流 (Ic) 40 A
最大整流电流 (Icm) 80 A
门电荷 68 nC
集电极击穿电压 1250伏
最大功率 259 W
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.5V @ 15V, 15A
开通/关断延时 (25°C) -/106纳秒

STGW20IH125DF 产品详情

IGBT Discretes，STMicroelectronics

特色

高速切换
紧密参数分布
安全并联
低热阻
短路额定值
超快软恢复反并联二极管

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STG4158BJR	意法半导体 (STMicroelectronics)	电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 600毫欧姆 (Typ) 供应商设备包装: 6-FlipChip (1.23x0.83) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA）安装类别: 表面安装	¥42.39571
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STGW20IH125DF所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGW20IH125DF 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGW20IH125DF价格参考￥64.128651，你可以下载 STGW20IH125DF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGW20IH125DF规格参数、现货库存、封装信息等信息！