起订量: 15
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
进一步提高TRENCHSTOP的最佳性能™ 5 IGBT技术，英飞凌提供具有额外开尔文发射管脚的高功率封装技术。TO-247 4引脚为栅极-发射极控制回路提供超低电感，并带来TRENCHSTOP™ 5 IGBT的下一级最佳开关性能。采用了标准TO-247封装体，并增加了额外的第四个引脚，以启用开尔文发射器配置。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IGZ100N65H5XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 161 A 最大功率: 536 W 供应商设备包装: PG-TO247-4 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥55.6979 |
 | IGZ50N65H5XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 85 A 最大功率: 273 W 供应商设备包装: PG-TO247-4 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.64466 |
| IGZ100N65H5 | 英飞凌 (Infineon) | IGZ100N65 - DISCRETE IGBT WITHOU | ¥29.11211 |
 | IGZ75N65H5XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 119 A 最大功率: 395 W 供应商设备包装: PG-TO247-4 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥20.64227 |
| IGZ50N65H5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥16.40525 |
| IGZ75N65H5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥25.30597 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
