久芯网

STGD18N40LZT4

  • 描述:集电极击穿电压: 420伏 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 125瓦 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2500

数量 单价 合计
1+ 9.93142 9.93142
10+ 9.70022 97.00220
30+ 9.54257 286.27737
100+ 9.39544 939.54460
  • 库存: 0
  • 单价: ¥9.93143
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥23,488.62
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 开关能量 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 输入类别 逻辑
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大整流电流 (Icm) 40 A
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 最大功率 125瓦
  • 最大集电极电流 (Ic) 25 A
  • 门电荷 29 nC
  • 供应商设备包装 DPAK
  • 集电极击穿电压 420伏
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.7伏@4.5伏,10A
  • 开通/关断延时 (25°C) 650ns/13.5s
  • 试验条件 300V, 10A, 5V

STGD18N40LZT4 产品详情

STGD18N40LZT4是一种内部箝位IGBT,采用最先进的PowerMESH™ 技术栅极集电极和栅极发射极之间的内置齐纳二极管提供过电压保护功能。该装置还具有用于汽车点火系统的低ON状态电压降和低阈值驱动。适用于笔形线圈电子点火驱动。

特色

  • ESD栅极发射极保护
  • 栅极集电极高压钳位
  • 逻辑电平门驱动
  • 低饱和电压
  • 高脉冲电流能力
  • 栅极和栅极发射极电阻器
  • 180mJ雪崩能量@TC=150°C,L=3mH
STGD18N40LZT4所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGD18N40LZT4 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGD18N40LZT4价格参考¥9.931428,你可以下载 STGD18N40LZT4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGD18N40LZT4规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部