STGD6NC60HDT4

Name: STGD6NC60HDT4
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7172052-STGD6NC60HDT4
Price: 6.533096 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 15A 最大功率: 56 W 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:2-3 工作日

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规格参数

部件状态可供货
IGBT型 -
输入类别标准
反向恢复时长 (trr) 21纳秒
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
集电极击穿电压 600 V
安装类别表面安装
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
最大整流电流 (Icm) 21A
最大集电极电流 (Ic) 15A
最大功率 56 W
供应商设备包装 DPAK
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.5V @ 15V, 3A
开关能量 20J (on), 68J (off)
门电荷 13.6 nC
开通/关断延时 (25°C) 12ns/76ns
试验条件 390V, 3A, 10欧姆, 15V

STGD6NC60HDT4 产品详情

该器件是一种使用先进PowerMESH开发的非常快速的IGBT？技术该过程保证了切换性能和低导通状态行为之间的良好平衡。该设备非常适合谐振或软开关应用。

特色

低压降（V_{行政长官（sat）})
低CRES/CIES比率（无交叉传导敏感性）
极软超快恢复反并联二极管
高频操作

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STGD6NC60HDT4所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGD6NC60HDT4 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGD6NC60HDT4价格参考￥6.533096，你可以下载 STGD6NC60HDT4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGD6NC60HDT4规格参数、现货库存、封装信息等信息！