STGW80H65FB

Name: STGW80H65FB
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7172062-STGW80H65FB
Price: 28.739103 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 469 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
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规格参数

部件状态可供货
集电极击穿电压 650 V
输入类别标准
反向恢复时长 (trr) -
安装类别通孔
包装/外壳至247-3
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
IGBT型场终止沟道
最大集电极电流 (Ic) 120 A
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
最大功率 469 W
最大整流电流 (Icm) 240 A
供应商设备包装 TO-247-3
试验条件 400V, 80A, 10欧姆, 15V
开关能量 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 80A
门电荷 414 nC
开通/关断延时 (25°C) 84ns/280ns

STGW80H65FB 产品详情

IGBT Discretes，STMicroelectronics

特色

最高结温：T_J=175°C
高速开关系列
最小化尾电流
低饱和电压：V_{行政长官（sat）}=1.6 V（典型值）@I_C=80安培
紧密的参数分布
安全并联
正V_{行政长官（sat）}温度系数
低热阻
超快软恢复反并联二极管

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STGW80H65FB所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGW80H65FB 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGW80H65FB价格参考￥28.739103，你可以下载 STGW80H65FB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGW80H65FB规格参数、现货库存、封装信息等信息！