STMicroelectronics采用基于专利条带布局的最新高压技术,设计了性能卓越的先进IGBT系列PowerMESHTM IGBT。后缀“S”表示优化的系列,以实现低频应用(<1kHz)的最小电压降。
特色
- 高输入阻抗(电压驱动)
- 高电流能力
- 极低的电压降(V塞萨特)
- 表面安装DPAK(TO 252)电源包在磁带和卷轴中(后缀“T4”)
- 关断损耗包括尾流
起订量: 2500
数量 | 单价 | 合计 |
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2500+ | 9.18312 | 22957.82000 |
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STMicroelectronics采用基于专利条带布局的最新高压技术,设计了性能卓越的先进IGBT系列PowerMESHTM IGBT。后缀“S”表示优化的系列,以实现低频应用(<1kHz)的最小电压降。
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