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STGD7NB60ST4

  • 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 15A 最大功率: 55 W 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2500

数量 单价 合计
2500+ 9.18312 22957.82000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥8.34780
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥22,957.82
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 输入类别 标准
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 最大整流电流 (Icm) 60 A
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 最大功率 55 W
  • 最大集电极电流 (Ic) 15A
  • 门电荷 33 nC
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 供应商设备包装 DPAK
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.6V@15V,7A
  • 开关能量 3.5mJ (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 700ns/-
  • 试验条件 480V, 7A, 1kOhm, 15V

STGD7NB60ST4 产品详情

STMicroelectronics采用基于专利条带布局的最新高压技术,设计了性能卓越的先进IGBT系列PowerMESHTM IGBT。后缀“S”表示优化的系列,以实现低频应用(<1kHz)的最小电压降。

特色

  • 高输入阻抗(电压驱动)
  • 高电流能力
  • 极低的电压降(V塞萨特)
  • 表面安装DPAK(TO 252)电源包在磁带和卷轴中(后缀“T4”)
  • 关断损耗包括尾流
STGD7NB60ST4所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGD7NB60ST4 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGD7NB60ST4价格参考¥8.347804,你可以下载 STGD7NB60ST4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGD7NB60ST4规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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