这些器件是使用先进的PowerMESH开发的非常快速的IGBT™ 技术该过程保证了切换性能和低导通状态行为之间的良好平衡。这些器件非常适合谐振或软开关应用。
特征
降低接通电压降(VCE(sat))
较低的CRES/CIES比率(无交叉传导敏感性)
极软超快恢复反并联二极管
短路耐受时间10μs
特色
- 较低的电压降(V行政长官(sat))
- 下部C皇家经济学会/C类信息系统比率(无交叉传导敏感性)
- 极软超快恢复反并联二极管
- 短路耐受时间10μs
(图片:引线/示意图)