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STGD10NC60KDT4

  • 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 62 W 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 11.51621 11.51621
10+ 10.37183 103.71833
100+ 8.33657 833.65780
500+ 6.84946 3424.73300
1000+ 6.46175 6461.75300
2500+ 6.46175 16154.38250
  • 库存: 0
  • 单价: ¥11.73350
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.52
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 最大整流电流 (Icm) 30 A
  • 最大集电极电流 (Ic) 20A
  • 门电荷 19 nC
  • 反向恢复时长 (trr) 22纳秒
  • 供应商设备包装 DPAK
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.5V @ 15V, 5A
  • 开关能量 55J (on), 85J (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 17ns/72ns
  • 试验条件 390V, 5A, 10欧姆, 15V
  • 最大功率 62 W

STGD10NC60KDT4 产品详情

描述 

这些器件是使用先进的PowerMESH开发的非常快速的IGBT™ 技术该过程保证了切换性能和低导通状态行为之间的良好平衡。这些器件非常适合谐振或软开关应用。

特征

 降低接通电压降(VCE(sat))

 较低的CRES/CIES比率(无交叉传导敏感性)

 极软超快恢复反并联二极管

 短路耐受时间10μs


特色

  • 较低的电压降(V行政长官(sat))
  • 下部C皇家经济学会/C类信息系统比率(无交叉传导敏感性)
  • 极软超快恢复反并联二极管
  • 短路耐受时间10μs


(图片:引线/示意图)

STGD10NC60KDT4所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGD10NC60KDT4 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGD10NC60KDT4价格参考¥11.733498,你可以下载 STGD10NC60KDT4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGD10NC60KDT4规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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