- 适用于开关(电机驱动等)和负载开关应用的MOSFET
- 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性
2SK1859-E
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度(TJ)
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥17.32502
-
数量:
- +
- 总计: ¥17.33
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
- 安装类别 通孔
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 工作温度 150摄氏度(TJ)
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 供应商设备包装 TO-3P
- 最大功耗 60W (Tc)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Ta)
- 漏源电压标 (Vdss) 900 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 980 pF@10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 3欧姆 @ 3A, 10V
2SK1859-E 产品详情
2SK1859-E所属分类:分立场效应晶体管 (FET),2SK1859-E 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。2SK1859-E价格参考¥17.325017,你可以下载 2SK1859-E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询2SK1859-E规格参数、现货库存、封装信息等信息!
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...