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STGE200NB60S

  • 描述:参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 600 W 供应商设备包装: ISOTOP
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 251.11134 251.11134
10+ 231.58448 2315.84485
100+ 214.79327 21479.32700
  • 库存: 0
  • 单价: ¥228.29621
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥251.11
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 输入值 标准
  • NTC热敏电阻 No
  • 安装类别 机箱安装
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 参数配置 单个的
  • IGBT型 -
  • 包装/外壳 SOT-227-4,迷你超直瞄
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 最大功率 600 W
  • 集电极最大截止电流 500 µA
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大集电极电流 (Ic) 200 A
  • 供应商设备包装 ISOTOP
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.6V@15V,100A
  • 输入电容 (Cies) @ Vce 1.56 nF@25 V

STGE200NB60S 产品详情

STGE200NB60S是一款N通道低功耗PowerMESH™ IGBT采用基于专利条带布局的最新高压技术。STMicroelectronics设计了先进的IGBT系列PowerMESH™ IGBT具有卓越的性能。后缀S表示为实现非常低的VCE(sat)(最大频率为1kHz)而优化的系列。

特色

  • 高输入阻抗(电压驱动)
  • 低压降(Vcesat)
  • 关断损失包括尾电流
  • 低栅极电荷
  • 高电流能力
STGE200NB60S所属分类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,STGE200NB60S 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGE200NB60S价格参考¥228.296208,你可以下载 STGE200NB60S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGE200NB60S规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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