34 mm 1200 V,50 A双IGBT模块,带快速TRENCHSTOP™ IGBT4和发射极控制4二极管。
特色
- 延长工作温度T vj op
- 低开关损耗
- 低VCEsat
- Tvj操作=150°C
- 具有正温度系数的VCEsat
- 隔离底板
- 标准外壳
- 灵活性
- 最佳电气性能
- 最高可靠性
应用
- 电机控制和驱动
- 太阳能系统解决方案
- 商用、建筑和农用车辆(CAV)
- 不间断电源(UPS)
- 工业加热和焊接
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 385.82928 | 385.82928 |
10+ | 374.89250 | 3748.92504 |
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34 mm 1200 V,50 A双IGBT模块,带快速TRENCHSTOP™ IGBT4和发射极控制4二极管。
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。