9icnet为您提供由IXYS设计和生产的MII300-12E4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MII300-12E4参考价格为661.563738美元。IXYS MII300-12E4封装/规格：IGBT MOD 1200V 280A 1100W Y3LI。您可以下载MII300-12E4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MII150-12A4是MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB，包括MII150系列，它们设计用于功率半导体模块产品，类型如数据表注释所示，用于IGBT模块，提供散装等封装功能，安装方式设计用于螺丝，其工作温度范围为-40 C至+150 C，该器件也可以用作Y3-DCB封装盒。此外，安装类型为底盘安装，该设备在Y3-DCB供应商设备包中提供，该设备具有输入标准，配置为半桥，功率最大值为760W，电流收集器Ic最大值为180A，电压收集器发射器击穿最大值为1200V，电流收集器截止最大值为7.5mA，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，100A，输入电容Cies Vce为6.6nF@25V，NTC热敏电阻为No，Vf正向电压为2.3V。
MII200-12A4是MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.7V@15V、150A Vce on Max Vge Ic下工作，供应商设备包如数据表注释所示，用于Y3-DCC，提供MII200等系列功能，产品设计用于功率半导体模块，以及1130W功率最大值，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为Y3-DCB，该器件提供无NTC热敏电阻，该器件具有安装类型的螺钉，安装类型为底盘安装，输入电容Cies Vce为11nF@25V，输入为标准，IGBT类型为NPT，集电器Ic最大值为270A，集电器截止最大值为10mA，配置为半桥。
MII300-12A4是MOD IGBT RBSOA 1200V 330A Y3-DCB，包括半桥配置，它们设计用于13mA电流收集器最大截止电流，电流收集器Ic最大值如数据表注释所示，用于330A，提供IGBT类型功能，如NPT，输入设计用于标准，以及13nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用Y3-DCB封装盒，该器件的最大功率为1380W，供应商器件封装为Y3-DCC，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，200A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
