9icnet为您提供由IXYS设计和生产的MKI80-06T6K，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MKI80-06T6K参考价格168.258628美元。IXYS MKI80-06T6K封装/规格：IGBT模块600V 89A 210W E1。您可以下载MKI80-06T6K英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如MKI80-06T6K价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
MKI75-06A7是MOD IGBT H-BRIDGE 600V 90A E2，包括MKI75系列，它们设计用于IGBT硅模块产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供安装类型功能，如螺钉，包装箱设计用于E2，以及底盘安装型，该设备也可以用作E2供应商设备包。此外，输入是标准的，该设备采用全桥逆变器配置，该设备最大功率为280W，集电器Ic最大值为90A，集电器-发射器击穿最大值为600V，集电器截止最大值为1.3mA，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为2.6V@15V，75A，输入电容Cies Vce为3.2nF@25V，NTC热敏电阻为“是”，Pd功耗为280 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为600 V；25 C时的连续集电极电流为90 A，栅极-发射极漏电流为200 nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V。
MKI75-06A7T是IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在2.6V@15V、75A Vce（最大Vge Ic）下工作。数据表说明中显示了用于E2的供应商设备包，提供MKI75等系列功能，产品设计用于IGBT硅模块，以及280W最大功率，该器件也可以用作280W Pd功率耗散。此外，包装为散装，该器件采用E2封装盒，该器件有一个NTC热敏电阻，安装类型为螺钉，安装类型是底盘安装，其最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，最大栅极-发射极电压为+/-20 V，输入电容Cies Vce为3.2nF@25V，输入为标准，IGBT类型为NPT，栅极-发射极漏电流为200nA，集电极Ic最大值为90A，集电极截止电流最大值为1.3mA，25℃时的连续集电极电流为90A；配置为全桥逆变器，集电极-发射极电压VCEO最大值为600V，集电极/发射极饱和电压为600V。
MKI75-12E8是MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 130A E3，包括全桥逆变器配置，它们设计为在1.1mA集流器截止最大值下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于130A，提供IGBT类型功能，如NPT，输入设计为标准工作，以及5.7nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用E3封装盒，该器件的最大功率为500W，供应商器件封装为E3，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，75A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
