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BSM35GD120DN2是IGBT模块1200V 35A 3相,包括IGBT硅模块产品,它们设计为以螺钉安装方式运行,数据表注释中显示了用于EconoACK 2的封装盒,提供了六角、Pd等配置功能。功耗设计为280 W,最大工作温度范围为+150 C,它的最低工作温度范围为-40℃。此外,集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V,该器件提供2.7 V集电极-发射器饱和电压,该器件在25℃时具有50 a的连续集电极电流,栅极-发射极漏电流为150 nA,最大栅极-发射极电压为+/-20 V。
BSM35GD120DN2 E3224,带有EUPEC制造的用户指南。BSM35GD120DN2 E3224在模块包中提供,是模块的一部分。
BSM35GD120DN2E,带有EUPEC制造的电路图。BSM35GD120DN2E在模块包中提供,是模块的一部分。