9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSM50GD170DLBOSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSM50GD170DLBOSA1参考价格为213.909558美元。Infineon Technologies BSM50GD170DLBOSA1封装/规格：IGBT MOD 1700V 100A 480W。您可以下载BSM50GD170DLBOSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSM50GD120DN2G是IGBT模块1200V 50A 3相，包括IGBT硅模块产品，它们设计为以螺钉安装方式运行，数据表注释中显示了用于EconoACK 3A的封装盒，该封装盒提供了六角、Pd等配置功能，功耗设计为400 W，最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-40℃。此外，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，该器件提供2.5 V集电极-发射器饱和电压，该器件在25℃时具有78 a的连续集电极电流，栅极-发射极漏电流为200 nA，最大栅极-发射极电压为20 V。
BSM50GD120DN2E3226是IGBT模块N-CH 1.2KV 50A，其中包括IGBT硅模块产品，它们设计用于350 W Pd功耗，数据表注释中显示了用于EconoACK 2的封装盒，该产品提供了安装类型的功能，如螺钉，其最大工作温度范围为+150 C，以及20 V最大栅极发射极电压，该器件也可以用作200nA栅极发射极漏电流。此外，25℃时的连续集电极电流为50 A，该设备采用十六进制配置，该设备的集电极-发射极电压VCEO Max为1200 V，集电极-发射器饱和电压为2.5 V。
BSM50GD120DN2E3224，带有Infineo制造的电路图。BSM50GD120DN2E3224在模块包中提供，是模块的一部分。
