经济确认™ 3个600V四组IGBT模块，带快速沟槽/场阻IGBT3、发射极控制的3个二极管和PressFIT/NTC
特色
- 沟槽IGBT 3
- 低电压CEsat
- 集成NTC温度传感器
- 铜基板
- PressFIT接触技术
- 低杂散电感模块设计
- 符合RoHS的模块
- 紧凑型模块概念
- 优化客户的开发周期时间和成本
- 配置灵活性
应用
潜在应用
F575R06KE3B5BOSA1
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: Module
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥1,063.67781
-
数量:
- +
- 总计: ¥1,063.68
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规格参数
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- IGBT型 场终止沟道
- 输入值 标准
- 安装类别 机箱安装
- 包装/外壳 模块
- 供应商设备包装 Module
- 参数配置 三相逆变器
- 集电极击穿电压 600 V
- 集电极最大截止电流 1毫安
- NTC热敏电阻 Yes
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度
- 最大集电极电流 (Ic) 75 A
- 部件状态 过时的
- 最大功率 250瓦
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.9V@15V，75A
- 输入电容 (Cies) @ Vce 4.6 nF @ 25 V
F575R06KE3B5BOSA1 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| F575R06KE3B5BOSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,063.67781 |
 | F57577-000 | 泰科瑞侃 (Raychem Cable) | E-254095-10-9 | ¥0.43457 |
| F573110 | 西屋电气 (Westinghouse) | F573110 | ¥86.55121 |
F575R06KE3B5BOSA1所属分类：绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，F575R06KE3B5BOSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。F575R06KE3B5BOSA1价格参考￥1063.677808，你可以下载 F575R06KE3B5BOSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询F575R06KE3B5BOSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
