起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 13.90636 | 13.90636 |
| 10+ | 12.49400 | 124.94003 |
| 100+ | 10.04155 | 1004.15570 |
| 500+ | 8.25024 | 4125.12150 |
| 1000+ | 8.19896 | 8198.96300 |
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600 V，6 A硬开关TRENCHSTOP™ IGBT3与TO263 D2Pak封装中的全额定续流二极管共同封装，由于沟槽单元和场阻概念的结合，导致器件的静态和动态性能显著提高。IGBT与软恢复发射极控制二极管的组合进一步减小了导通损耗。由于开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷，达到了最高效率。
潜在应用
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IKB20N65EH5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥38.69579 |
| IKB10N60T | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥18.53867 |
| IKB20N60T | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥28.18634 |
| IKB15N65EH5 | 英飞凌 (Infineon) | 功率(Pd)：105W 集射极击穿电压(Vces)：650V 集电极电流(Ic)：30A | ¥25.52745 |
| IKB40N65EH5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥41.99575 |
| IKB20N60H3 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥23.2469 |
| IKB06N60T | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥17.26702 |
| IKB03N120H2 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥22.05933 |
| IKB40N65EF5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥41.99575 |
| IKB30N65EH5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥35.46939 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
