这些器件是使用先进的专有沟槽栅极场阻结构开发的IGBT。这些器件是H系列IGBT的一部分，这代表了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷，以最大化高开关频率转换器的效率。此外，轻微正V行政长官（sat）温度系数和非常紧密的参数分布导致更安全的并联操作。
特色
- 高速切换
- 紧密的参数分布
- 安全并联
- 低热阻
- 短路额定值
- 超快软恢复反并联二极管
STGD5H60DF
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 10A 最大功率: 83 W 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 14.16673 | 14.16673 |
| 10+ | 12.50624 | 125.06243 |
| 30+ | 11.45529 | 343.65894 |
| 100+ | 10.39384 | 1039.38440 |
| 500+ | 9.91040 | 4955.20450 |
| 1000+ | 9.70022 | 9700.22000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥14.16674
-
数量:
- +
- 总计: ¥14.17
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 输入类别 标准
- 集电极击穿电压 600 V
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 最大集电极电流 (Ic) 10A
- IGBT型 场终止沟道
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 最大整流电流 (Icm) 20A
- 试验条件 400V, 5A, 47欧姆, 15V
- 供应商设备包装 DPAK
- 最大功率 83 W
- 门电荷 43 nC
- 开通/关断延时 (25°C) 30ns/140ns
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.95伏@15伏，5A
- 开关能量 56J (on), 78.5J (off)
- 反向恢复时长 (trr) 134.5 ns
STGD5H60DF 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| STGIK10M120T | DISCRETE | ¥0.00 |
STGD5H60DF所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGD5H60DF 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGD5H60DF价格参考￥14.166736，你可以下载 STGD5H60DF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGD5H60DF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
