9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGD6M65DF2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGD6M65DF2参考价格为1.37000美元。STMicroelectronics STGD6M65DF2封装/规格：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT，M S。您可以下载STGD6M65 DF2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STGD5NB120SZT4是IGBT 1200V 10A 75W DPAK，包括PowerMESH？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63以及标准输入类型，该设备也可以用作表面安装安装类型。此外，供应商设备包为D-Pak，该设备为单配置，该设备最大功率为75W，集电器Ic最大值为10A，集电器-发射器击穿最大值为1200V，集电器脉冲Icm为10A，最大Vge Ic上的Vce为2V@15V，5A，开关能量为2.59mJ（开），9mJ，25°C时的Td为690ns/12.1μs，测试条件为960V、5A、1kOhm、15V，Pd功耗为55W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，集电极/发射极饱和电压为2 V，25 C时的连续集电极电流为10 A，且栅极发射极漏电流为+/-100nA，且最大栅极发射极电压为+/-20V，且连续集电极电流Ic-Max为10A。
STGD3NB60SDT4是IGBT 600V 6A 48W DPAK，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.5V@15V、3A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供480V、3A、1 kOhm、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，该设备也可以用作D-Pak供应商设备包。此外，该系列是PowerMESH？，该器件以1.7μs反向恢复时间trr提供，该器件最大功率为48W，Pd功耗为48 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-65℃，它的最大工作温度范围为+150℃，最大栅极发射极电压为+/-20 V，输入类型为标准，栅极发射极漏电流为+/-100 nA，栅极电荷为18nC，集电极脉冲Icm为25A，集电极电流Ic最大值为6A，连续集电极电流最大值为6 A，25℃时的连续集电极电压为6 A，并且配置为单，并且集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，并且集极-发射极饱和电压为1.5 V。
STGD5NB120SZ-1是IGBT 1200V 10A 75W DPAK，包括1200V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计为单配置运行，数据表说明中显示了用于10A的连续集电极电流Ic Max，提供了10A等集电极Ic Max功能，集电极脉冲Icm设计为10A工作，以及标准输入类型，该器件还可以用作+/-20 V最大栅发射极电压，其最大工作温度范围为+150 C，该器件为表面安装安装型，该器件具有安装类型的通孔，封装外壳为TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63，封装为管形，最大功率为75W，系列为PowerMESH？，供应商设备包为D-Pak，开关能量为2.59mJ（开）、9mJ（关），25°C时的Td为690ns/12.1μs，测试条件为960V、5A、1kOhm、15V，单位重量为0.13932 oz，最大Vge Ic的Vce为2V@15V、5A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
STGD5H60DF，带EDA/CAD型号，包括沟槽场阻IGBT型，设计用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供输入类型功能，如标准，供应商设备包设计用于DPak，以及Digi-ReelR替代封装，该器件还可以用作83W功率最大值。此外，集电器-发射极击穿最大值为600V，该器件提供56μJ（开）、78.5μJ（关）开关能量，该器件具有43nC的栅极电荷，测试条件为400V、5A、47欧姆、15V，25°C的Td为30ns/140ns，集电器脉冲Icm为20A，反向恢复时间trr为134.5ns，集流器Ic Max为10A，最大Vge Ic上的Vce为1.95V@15V，5A。
