STGD14NC60KT4

Name: STGD14NC60KT4
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7172797-STGD14NC60KT4
Price: 6.574525 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 80 W 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 2500

数量	单价	合计
2500+	7.23239	18080.99500

库存: 0
单价: ¥6.57453
数量:
- +
总计: ¥18,081.00

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

部件状态可供货
IGBT型 -
输入类别标准
反向恢复时长 (trr) -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
集电极击穿电压 600 V
最大整流电流 (Icm) -
安装类别表面安装
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
最大集电极电流 (Ic) 25 A
供应商设备包装 DPAK
最大功率 80 W
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.5V @ 15V, 7A
试验条件 390V, 7A, 10欧姆, 15V
开关能量 82J (on), 155J (off)
门电荷 34.4 nC
开通/关断延时 (25°C) 22.5ns/116ns

STGD14NC60KT4 产品详情

STMicroelectronics采用基于专利条带布局的最新高压技术，设计了一系列先进的IGBT，Power MESH？IGBTs，性能卓越。后缀“K”表示针对具有短路耐受能力的高频电机控制应用而优化的系列。

特色

低压降（Vcesat）
短路耐受时间10μs
低C_物件/C类_信息系统比率（无交叉传导敏感性）

STGD14NC60KT4 相关器件

型号	制造商	描述	价格
STGB19N40LZ	意法半导体 (STMicroelectronics)	IGBT	¥8.60638
STGB10NB60ST4	意法半导体 (STMicroelectronics)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 29 A 最大功率: 80 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥81.55665
STG3684AUTR	意法半导体 (STMicroelectronics)	电线数量: two 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 500毫欧姆供应商设备包装: 10-QFN（1.8x1.4）工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA）安装类别: 表面安装	¥2.50315
STG4158BJR	意法半导体 (STMicroelectronics)	电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 600毫欧姆 (Typ) 供应商设备包装: 6-FlipChip (1.23x0.83) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA）安装类别: 表面安装	¥42.39571
STGWA50H65DFB2	意法半导体 (STMicroelectronics)	暂无	¥33.44106
STGWA30H65DFB2	意法半导体 (STMicroelectronics)	暂无	¥47.8285
STGYA50M120DF3	意法半导体 (STMicroelectronics)	暂无	¥157.69427
STGAP2SICSCTR	意法半导体 (STMicroelectronics)	暂无	¥43.83491
STGAP2SICSNCTR	意法半导体 (STMicroelectronics)	暂无	¥36.39422
STGIK10M120T		DISCRETE	¥0.00

STGD14NC60KT4所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGD14NC60KT4 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGD14NC60KT4价格参考￥6.574525，你可以下载 STGD14NC60KT4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGD14NC60KT4规格参数、现货库存、封装信息等信息！