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STGB10NC60HDT4

  • 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 65 W 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.89236 12.89236
10+ 11.61036 116.10369
100+ 9.33102 933.10280
500+ 7.66632 3833.16000
1000+ 7.23239 7232.39800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥11.73350
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.89
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大整流电流 (Icm) 30 A
  • 最大集电极电流 (Ic) 20A
  • 供应商设备包装 D2PAK
  • 反向恢复时长 (trr) 22纳秒
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.5V @ 15V, 5A
  • 最大功率 65 W
  • 试验条件 390V, 5A, 10欧姆, 15V
  • 开关能量 31.8J (on), 95J (off)
  • 门电荷 19.2 nC
  • 开通/关断延时 (25°C) 14.2ns/72ns

STGB10NC60HDT4 产品详情

该IGBT采用先进的PowerMESH?这在切换性能和低导通状态行为之间产生了极好的折衷。

特色

  • 低压降(V行政长官(sat))
  • 极软超快恢复反并联二极管
  • 低C皇家经济学会/C类信息系统比率(无交叉传导敏感性)
STGB10NC60HDT4所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGB10NC60HDT4 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGB10NC60HDT4价格参考¥11.733498,你可以下载 STGB10NC60HDT4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGB10NC60HDT4规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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