STGB20V60DF

Name: STGB20V60DF
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7172805-STGB20V60DF
Price: 13.471794 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 167 W 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
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规格参数

部件状态可供货
输入类别标准
集电极击穿电压 600 V
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
IGBT型场终止沟道
安装类别表面安装
包装/外壳到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
门电荷 116 nC
最大集电极电流 (Ic) 40 A
最大功率 167 W
最大整流电流 (Icm) 80 A
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.2V @ 15V, 20A
供应商设备包装 D2PAK
反向恢复时长 (trr) 40纳秒
开关能量 200J (on), 130J (off)
开通/关断延时 (25°C) 38ns/149ns
试验条件 400V, 20A, 15V

STGB20V60DF 产品详情

IGBT Discretes，STMicroelectronics

特色

最高结温：T_J=175°C
超高速开关系列
无尾关闭
低饱和电压：V_{行政长官（sat）}=1.8 V（典型值）@I_C=20年
紧密参数分布
安全并联
低热阻
超快软恢复反并联二极管
无铅包装

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STG4158BJR	意法半导体 (STMicroelectronics)	电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 600毫欧姆 (Typ) 供应商设备包装: 6-FlipChip (1.23x0.83) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA）安装类别: 表面安装	¥42.39571
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STGB20V60DF所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGB20V60DF 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGB20V60DF价格参考￥13.471794，你可以下载 STGB20V60DF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGB20V60DF规格参数、现货库存、封装信息等信息！