这些器件是使用先进的PowerMESH？技术该过程保证了切换性能和低导通状态行为之间的良好平衡。
特色
- 低压降（V行政长官（sat）)
- 低C物件/C类信息系统比率（无交叉传导敏感性）
- 极软超快恢复反并联二极管
- 短路耐受时间10μs
STGB14NC60KDT4
- 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 80 W 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.64197 | 6.64197 |
| 10+ | 5.60153 | 56.01536 |
| 30+ | 5.07606 | 152.28189 |
| 100+ | 4.56110 | 456.11000 |
| 500+ | 4.25632 | 2128.16300 |
| 1000+ | 4.09868 | 4098.68500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥6.64197
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.64
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规格参数
- 部件状态 可供货
- IGBT型 -
- 输入类别 标准
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 集电极击穿电压 600 V
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 供应商设备包装 D2PAK
- 最大集电极电流 (Ic) 25 A
- 反向恢复时长 (trr) 37 ns
- 最大整流电流 (Icm) 50 A
- 最大功率 80 W
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.5V @ 15V, 7A
- 试验条件 390V, 7A, 10欧姆, 15V
- 开关能量 82J (on), 155J (off)
- 门电荷 34.4 nC
- 开通/关断延时 (25°C) 22.5ns/116ns
STGB14NC60KDT4 产品详情
STGB14NC60KDT4 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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STGB14NC60KDT4所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGB14NC60KDT4 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGB14NC60KDT4价格参考￥6.641971，你可以下载 STGB14NC60KDT4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGB14NC60KDT4规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
