STGD5NB120SZT4

Name: STGD5NB120SZT4
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7172807-STGD5NB120SZT4
Price: 8.080324 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 10A 最大功率: 75 W 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 2500

数量	单价	合计
2500+	8.88906	22222.66500

库存: 0
单价: ¥8.08032
数量:
- +
总计: ¥22,222.67

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

IGBT型 -
输入类别标准
反向恢复时长 (trr) -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
集电极击穿电压 1200伏
最大集电极电流 (Ic) 10A
门电荷 -
安装类别表面安装
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
部件状态不适用于新设计
最大功率 75 W
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 5A
供应商设备包装 DPAK
最大整流电流 (Icm) 10A
开关能量 2.59mJ (on), 9mJ (off)
开通/关断延时 (25°C) 690ns/12.1s
试验条件 960V、5A、1kOhm、15V

STGD5NB120SZT4 产品详情

STGD5NB120SZT4是一种1200V低压降内部箝位IGBT，采用先进的功率MESH™ 这在开关性能和低导通状态行为之间产生了极好的折衷。IGBT是用于浪涌电流限制和电子镇流器预热的理想选择。随着温度的升高，关断能量分布得到改善，从而降低了开关损耗。

特色

低接通电压降
高电流能力
关断损失包括尾电流
高压钳位，低VCE（sat），减少传导损耗
紧凑的参数分布，简化设计，易于并联

STGD5NB120SZT4 相关器件

型号	制造商	描述	价格
STGB19N40LZ	意法半导体 (STMicroelectronics)	IGBT	¥8.60638
STGB10NB60ST4	意法半导体 (STMicroelectronics)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 29 A 最大功率: 80 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥81.55665
STG3684AUTR	意法半导体 (STMicroelectronics)	电线数量: two 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 500毫欧姆供应商设备包装: 10-QFN（1.8x1.4）工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA）安装类别: 表面安装	¥2.50315
STG4158BJR	意法半导体 (STMicroelectronics)	电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 600毫欧姆 (Typ) 供应商设备包装: 6-FlipChip (1.23x0.83) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA）安装类别: 表面安装	¥42.39571
STGWA50H65DFB2	意法半导体 (STMicroelectronics)	暂无	¥33.44106
STGWA30H65DFB2	意法半导体 (STMicroelectronics)	暂无	¥47.8285
STGYA50M120DF3	意法半导体 (STMicroelectronics)	暂无	¥157.69427
STGAP2SICSCTR	意法半导体 (STMicroelectronics)	暂无	¥43.83491
STGAP2SICSNCTR	意法半导体 (STMicroelectronics)	暂无	¥36.39422
STGIK10M120T		DISCRETE	¥0.00

STGD5NB120SZT4所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGD5NB120SZT4 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGD5NB120SZT4价格参考￥8.080324，你可以下载 STGD5NB120SZT4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGD5NB120SZT4规格参数、现货库存、封装信息等信息！