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STGB20M65DF2

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 166 W 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 14.76577 14.76577
10+ 12.92662 129.26621
30+ 11.77058 353.11746
100+ 10.58301 1058.30140
500+ 10.04703 5023.51600
  • 库存: 819
  • 单价: ¥14.76577
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥14.77
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大集电极电流 (Ic) 40 A
  • 最大整流电流 (Icm) 80 A
  • 供应商设备包装 D2PAK
  • 最大功率 166 W
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 20A
  • 试验条件 400V, 20A, 12欧姆, 15V
  • 开关能量 140J (on), 560J (off)
  • 门电荷 63 nC
  • 开通/关断延时 (25°C) 26ns/108ns
  • 反向恢复时长 (trr) 166纳秒

STGB20M65DF2 产品详情

STGB20M65DF2所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGB20M65DF2 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGB20M65DF2价格参考¥14.765774,你可以下载 STGB20M65DF2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGB20M65DF2规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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