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STGD20N45LZAG

  • 描述:集电极击穿电压: 450伏 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 125瓦 供应商设备包装: D-PAK (TO-252) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 17.09324 17.09324
10+ 15.32597 153.25976
100+ 12.32017 1232.01730
500+ 10.12238 5061.19350
1000+ 9.20210 9202.10400
2500+ 9.20210 23005.26000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥15.49981
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥17.09
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 开关能量 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 输入类别 逻辑
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 集电极击穿电压 450伏
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.25伏@4伏,6A
  • 最大功率 125瓦
  • 最大集电极电流 (Ic) 25 A
  • 门电荷 26 nC
  • 最大整流电流 (Icm) 50 A
  • 供应商设备包装 D-PAK (TO-252)
  • 试验条件 300V, 10A, 1kOhm, 5V
  • 开通/关断延时 (25°C) 1.1s/4.6s

STGD20N45LZAG 产品详情

这些器件是使用先进的专有沟槽栅极场阻结构开发的IGBT。这些器件是H系列IGBT的一部分,这代表了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷,以最大化高开关频率转换器的效率。此外,轻微正V行政长官(sat)温度系数和非常紧密的参数分布导致更安全的并联操作。

特色

  • 高速切换
  • 紧密的参数分布
  • 安全并联
  • 低热阻
  • 短路额定值
  • 超快软恢复反并联二极管
STGD20N45LZAG所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGD20N45LZAG 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGD20N45LZAG价格参考¥15.499806,你可以下载 STGD20N45LZAG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGD20N45LZAG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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