这些器件是使用先进的专有沟槽栅极场阻结构开发的IGBT。这些器件是H系列IGBT的一部分,这代表了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷,以最大化高开关频率转换器的效率。此外,轻微正V行政长官(sat)温度系数和非常紧密的参数分布导致更安全的并联操作。
特色
- 高速切换
- 紧密的参数分布
- 安全并联
- 低热阻
- 短路额定值
- 超快软恢复反并联二极管
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 7.29355 | 7.29355 |
10+ | 6.19006 | 61.90065 |
30+ | 5.58051 | 167.41551 |
100+ | 4.88689 | 488.68930 |
500+ | 4.58211 | 2291.05950 |
1000+ | 4.44549 | 4445.49600 |
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这些器件是使用先进的专有沟槽栅极场阻结构开发的IGBT。这些器件是H系列IGBT的一部分,这代表了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷,以最大化高开关频率转换器的效率。此外,轻微正V行政长官(sat)温度系数和非常紧密的参数分布导致更安全的并联操作。
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