特色
- 降低电压降
- 较低的CRES/CIES比率（无交叉传导敏感性）
- 极软超快恢复反并联二极管
- 10µs短路耐受时间
- 低VCE（sat）可降低传导损耗
- 紧凑的参数分布，简化设计，易于并联
STGP10NC60KD
- 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 65 W 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 31.20255 | 31.20255 |
| 10+ | 27.38762 | 273.87621 |
| 30+ | 25.11758 | 753.52740 |
- 库存: 47
- 单价: ¥31.20255
-
数量:
- +
- 总计: ¥31.20
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规格参数
- 部件状态 可供货
- IGBT型 -
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 集电极击穿电压 600 V
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 包装/外壳 至220-3
- 最大整流电流 (Icm) 30 A
- 最大集电极电流 (Ic) 20A
- 供应商设备包装 TO-220
- 门电荷 19 nC
- 反向恢复时长 (trr) 22纳秒
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.5V @ 15V, 5A
- 最大功率 65 W
- 开关能量 55J (on), 85J (off)
- 开通/关断延时 (25°C) 17ns/72ns
- 试验条件 390V, 5A, 10欧姆, 15V
STGP10NC60KD 产品详情
STGP10NC60KD是一种600V短路坚固型IGBT，采用先进的Power MESH™ 这在开关性能和低导通状态行为之间产生了极好的折衷。IGBT非常适合用于硬开关和谐振拓扑中的SMPS和PFC。随着温度的升高，关断能量分布得到改善，从而降低了开关损耗。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | STG3684AUTR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 电线数量: two 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 500毫欧姆 供应商设备包装: 10-QFN（1.8x1.4） 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥2.50315 |
 | STG4158BJR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 600毫欧姆 (Typ) 供应商设备包装: 6-FlipChip (1.23x0.83) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥42.39571 |
| STGWA50H65DFB2 | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 暂无 | ¥33.44106 |
| STGWA30H65DFB2 | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 暂无 | ¥47.8285 |
| STGYA50M120DF3 | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 暂无 | ¥157.69427 |
| STGAP2SICSCTR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 暂无 | ¥43.83491 |
| STGAP2SICSNCTR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 暂无 | ¥36.39422 |
| STGIK10M120T | DISCRETE | ¥0.00 |
STGP10NC60KD所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGP10NC60KD 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGP10NC60KD价格参考￥31.202551，你可以下载 STGP10NC60KD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGP10NC60KD规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
