STGF10H60DF

Name: STGF10H60DF
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7172825-STGF10H60DF
Price: 11.878356 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 30瓦供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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规格参数

部件状态可供货
输入类别标准
安装类别通孔
集电极击穿电压 600 V
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
IGBT型场终止沟道
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
包装/外壳 TO-220-3全套
最大整流电流 (Icm) 40 A
最大功率 30瓦
门电荷 57 nC
最大集电极电流 (Ic) 20A
供应商设备包装 TO-220FP
反向恢复时长 (trr) 107纳秒
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.95V@15V，10A
开关能量 83J (on), 140J (off)
开通/关断延时 (25°C) 19.5ns/103ns
试验条件 400V, 10A, 10欧姆, 15V

STGF10H60DF 产品详情

IGBT Discretes，STMicroelectronics

特色

高速切换
紧密参数分布
安全并联
低热阻
短路额定值
超快软恢复反并联二极管

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STGF10H60DF所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGF10H60DF 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGF10H60DF价格参考￥11.878356，你可以下载 STGF10H60DF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGF10H60DF规格参数、现货库存、封装信息等信息！