STGB20H60DF

规格参数

• 部件状态 可供货
• 输入类别 标准
• 集电极击穿电压 600 V
• 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
• IGBT型 场终止沟道
• 安装类别 表面安装
• 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
• 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
• 反向恢复时长 (trr) 90 ns
• 最大集电极电流 (Ic) 40 A
• 最大功率 167 W
• 最大整流电流 (Icm) 80 A
• 供应商设备包装 D2PAK
• 试验条件 400V, 20A, 10欧姆, 15V
• 门电荷 115 nC
• 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 20A
• 开关能量 209J (on), 261J (off)
• 开通/关断延时 (25°C) 42.5ns/177ns