该器件是使用先进的专有沟槽栅极和场停止结构开发的IGBT。该IGBT系列提供了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷，最大限度地提高了极高频率转换器的效率。此外，正V行政长官（sat）温度系数和非常紧密的参数分布使得并联操作更容易。
特色
- 高速切换
- 紧密参数分布
- 安全并联
- 低热阻
- 短路额定值
- 超快软恢复反并联二极管
STGF20M65DF2
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 32.6 W 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 14.00909 | 14.00909 |
| 10+ | 12.27503 | 122.75035 |
| 30+ | 11.19256 | 335.77686 |
| 100+ | 10.07856 | 1007.85610 |
| 500+ | 9.58461 | 4792.30800 |
| 1000+ | 9.36391 | 9363.91800 |
- 库存: 0
- 单价: ¥14.00909
-
数量:
- +
- 总计: ¥14.01
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 650 V
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- IGBT型 场终止沟道
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 最大集电极电流 (Ic) 40 A
- 最大整流电流 (Icm) 80 A
- 供应商设备包装 TO-220FP
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 20A
- 试验条件 400V, 20A, 12欧姆, 15V
- 开关能量 140J (on), 560J (off)
- 门电荷 63 nC
- 开通/关断延时 (25°C) 26ns/108ns
- 反向恢复时长 (trr) 166纳秒
- 最大功率 32.6 W
STGF20M65DF2 产品详情
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STGF20M65DF2所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGF20M65DF2 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGF20M65DF2价格参考￥14.009094，你可以下载 STGF20M65DF2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGF20M65DF2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
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