STGB40H65FB

Name: STGB40H65FB
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7172860-STGB40H65FB
Price: 44.591587 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 283 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:2-3 工作日

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规格参数

部件状态可供货
集电极击穿电压 650 V
输入类别标准
门电荷 210 nC
反向恢复时长 (trr) -
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
IGBT型场终止沟道
最大集电极电流 (Ic) 80 A
安装类别表面安装
包装/外壳到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
最大整流电流 (Icm) 160 A
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 40A
供应商设备包装 DPAK (TO-263)
最大功率 283 W
开关能量 498J (on), 363J (off)
开通/关断延时 (25°C) 40ns/142ns
试验条件 400V, 40A, 5欧姆, 15V

STGB40H65FB 产品详情

IGBT Discretes，STMicroelectronics

特色

设计用于自动驾驶应用，AEC-Q101合格
ESD门发射器保护
闸门收集器高压照明
逻辑级门驱动器
低饱和电压
高脉冲电流能力
栅极和栅极发射电阻器

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STGB40H65FB所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGB40H65FB 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGB40H65FB价格参考￥44.591587，你可以下载 STGB40H65FB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGB40H65FB规格参数、现货库存、封装信息等信息！