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STGB20NB41LZT4

  • 描述:集电极击穿电压: 442 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 200瓦 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 28.03002 28.03002
10+ 25.20529 252.05292
100+ 20.65095 2065.09560
500+ 17.57996 8789.98350
1000+ 17.48399 17483.99800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥25.49501
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥28.03
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 输入类别 标准
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大功率 200瓦
  • 最大集电极电流 (Ic) 40 A
  • 最大整流电流 (Icm) 80 A
  • 供应商设备包装 D2PAK
  • 门电荷 46 nC
  • 集电极击穿电压 442 V
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 4.5V, 20A
  • 开关能量 5mJ (on), 12.9mJ (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 1s/12.1s
  • 试验条件 320V, 20A, 1kOhm, 5V

STGB20NB41LZT4 产品详情

STGB20NB41LZT4是一种内部夹紧的PowerMESH™ IGBT采用基于专利条带布局的最新高压技术。STMicroelectronics设计了先进的IGBT系列PowerMESH™ IGBT具有卓越的性能。内置集电极-栅极齐纳表现出非常精确的有源箝位,而栅极-发射极齐纳提供ESD保护。

特色

  • 多晶硅栅极电压驱动
  • 低阈值电压
  • 低接通电压降
  • 低栅极电荷
  • 高电流能力
  • 高压钳位
STGB20NB41LZT4所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGB20NB41LZT4 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGB20NB41LZT4价格参考¥25.495008,你可以下载 STGB20NB41LZT4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGB20NB41LZT4规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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