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STGP19NC60SD

  • 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 130瓦 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.26843 3.26843
10+ 3.19487 31.94872
30+ 3.14232 94.26975
100+ 3.08977 308.97780
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.26844
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.27
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 最大功率 130瓦
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 包装/外壳 至220-3
  • 最大集电极电流 (Ic) 40 A
  • 最大整流电流 (Icm) 80 A
  • 供应商设备包装 TO-220
  • 反向恢复时长 (trr) 31 ns
  • 试验条件 480V, 12A, 10欧姆, 15V
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.9V@15V,12A
  • 开关能量 135J (on), 815J (off)
  • 门电荷 54.5 nC
  • 开通/关断延时 (25°C) 17.5ns/175ns

STGP19NC60SD 产品详情

该IGBT采用先进的PowerMESH?这在切换性能和低导通状态行为之间产生了极好的折衷。

特色

  • 电压降非常低(VCE(sat))
  • 硬开关中5kHz时的最小功率损耗
  • 针对中等工作频率的优化性能。
  • IGBT与超快续流二极管共同封装
STGP19NC60SD所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGP19NC60SD 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGP19NC60SD价格参考¥3.268438,你可以下载 STGP19NC60SD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGP19NC60SD规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...

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