STGP19NC60KD

Name: STGP19NC60KD
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7172888-STGP19NC60KD
Price: 6.384616 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 35A 最大功率: 125瓦供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:2-3 工作日

渠道:

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规格参数

部件状态可供货
IGBT型 -
输入类别标准
安装类别通孔
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
集电极击穿电压 600 V
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
包装/外壳至220-3
最大整流电流 (Icm) 75 A
最大功率 125瓦
供应商设备包装 TO-220
最大集电极电流 (Ic) 35A
反向恢复时长 (trr) 31 ns
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.75V @ 15V, 12A
开关能量 165J (on), 255J (off)
门电荷 55 nC
开通/关断延时 (25°C) 30ns/105ns
试验条件 480V, 12A, 10欧姆, 15V

STGP19NC60KD 产品详情

这些器件是使用先进的PowerMESH？技术该过程保证了切换性能和低导通状态行为之间的良好平衡。

特色

低压降（V_{行政长官（sat）})
低C_{皇家经济学会}/C类_信息系统比率（无交叉传导敏感性）
短路耐受时间10μs
IGBT与超快续流二极管共同封装

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STGP19NC60KD所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGP19NC60KD 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGP19NC60KD价格参考￥6.384616，你可以下载 STGP19NC60KD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGP19NC60KD规格参数、现货库存、封装信息等信息！