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STGW20H60DF

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 167 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 22.40614 22.40614
10+ 19.77878 197.78781
30+ 18.21287 546.38619
100+ 16.63645 1663.64560
500+ 15.90079 7950.39750
1000+ 15.57500 15575.00200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥22.40614
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥22.41
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 供应商设备包装 TO-247
  • 反向恢复时长 (trr) 90 ns
  • 最大集电极电流 (Ic) 40 A
  • 最大功率 167 W
  • 最大整流电流 (Icm) 80 A
  • 试验条件 400V, 20A, 10欧姆, 15V
  • 门电荷 115 nC
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 20A
  • 开关能量 209J (on), 261J (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 42.5ns/177ns

STGW20H60DF 产品详情

IGBT Discretes,STMicroelectronics

特色

  • 高速切换
  • 紧密参数分布
  • 安全并联
  • 低热阻
  • 短路额定值
  • 超快软恢复反并联二极管
STGW20H60DF所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGW20H60DF 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGW20H60DF价格参考¥22.406143,你可以下载 STGW20H60DF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGW20H60DF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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