9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGB8NC60KT4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGB8NC60KT4参考价格$1.71000。STMicroelectronics STGB8NC60KT4封装/规格：IGBT 600V 15A 65W D2PAK。您可以下载STGB8NC60KT4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGB7NC60HDT4是IGBT 600V 25A 80W D2PAK，包括PowerMESH？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.079014盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及标准输入型，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为D2PAK，该设备为单配置，该设备的最大功率为80W，反向恢复时间trr为37ns，集电器Ic最大值为25A，集电器发射极击穿最大值为600V，集电器脉冲Icm为50A，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，7A，开关能量为95μJ（开），115μJ（关），栅极电荷为35nC，25°C时的Td为18.5ns/72ns，测试条件为390V、7A、10 Ohm、15V，Pd功耗为25W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为2.5 V，25℃时的连续集电极电流为10A，栅极发射极漏电流为+/-100nA，最大栅极发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为25A。
STGB8NC60KDT4是IGBT 600V 15A 65W D2PAK，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.75V@15V、3A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.079014盎司，提供390V、3A、10欧姆、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，85μJ（关断）开关能量，该装置也可用作D2PAK供应商装置包。此外，该系列是PowerMESH？，该设备的反向恢复时间为23.5ns，最大功率为65W，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，最大栅极-发射极电压为+/-20V，输入类型为标准，栅极电荷为19nC，集电极脉冲Icm为30A，集电极电流Ic最大值为15A，连续集电极电流最大值为15A，配置为单一，集电极-发射极最大电压VCEO最大值为600V。
STGB7NC60HT4是IGBT 600V 25A 80W D2PAK，包括25A集流器Ic Max，它们设计用于50A集流脉冲Icm，数据表注释中显示了用于35nC的栅极电荷，该35nC提供输入类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，以及to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，最大功率为80W，设备提供37ns反向恢复时间trr，设备具有PowerMESH？供应商设备包为D2PAK，25°C时的Td为18.5ns/72ns，测试条件为390V、7A、10欧姆、15V，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V、7A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
