该器件是使用先进的专有沟槽栅极和场停止结构开发的IGBT。该IGBT系列提供了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷，最大限度地提高了极高频率转换器的效率。此外，正V行政长官（sat）温度系数和非常紧密的参数分布使得并联操作更容易。
特色
- 高速切换
- 紧密参数分布
- 安全并联
- 低热阻
- 短路额定值
- 超快软恢复反并联二极管
STGP30M65DF2
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 258 W 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 14.86035 | 14.86035 |
| 10+ | 14.51354 | 145.13548 |
| 30+ | 14.28234 | 428.47020 |
| 100+ | 14.05113 | 1405.11320 |
- 库存: 0
- 单价: ¥14.86036
-
数量:
- +
- 总计: ¥14.86
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 650 V
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 最大集电极电流 (Ic) 60 A
- 门电荷 80 nC
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- IGBT型 场终止沟道
- 最大整流电流 (Icm) 120 A
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 反向恢复时长 (trr) 140纳秒
- 包装/外壳 至220-3
- 供应商设备包装 TO-220
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 30A
- 试验条件 400V, 30A, 10欧姆, 15V
- 最大功率 258 W
- 开关能量 300J (on), 960J (off)
- 开通/关断延时 (25°C) 31.6ns/115ns
STGP30M65DF2 产品详情
STGP30M65DF2 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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STGP30M65DF2所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGP30M65DF2 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGP30M65DF2价格参考￥14.860359，你可以下载 STGP30M65DF2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGP30M65DF2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
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