STGW15H120F2

Name: STGW15H120F2
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7172979-STGW15H120F2
Price: 22.380561 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 259 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

渠道:

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	24.62586	24.62586
10+	22.11257	221.12574
100+	18.11521	1811.52170
500+	15.42100	7710.50150
1000+	15.33684	15336.84100

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数量:
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规格参数

部件状态可供货
输入类别标准
反向恢复时长 (trr) -
安装类别通孔
包装/外壳至247-3
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
集电极击穿电压 1200伏
最大整流电流 (Icm) 60 A
试验条件 600V, 15A, 10欧姆, 15V
IGBT型场终止沟道
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
最大集电极电流 (Ic) 30 A
门电荷 67 nC
供应商设备包装 TO-247-3
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.6V @ 15V, 15A
最大功率 259 W
开关能量 380J (on), 370J (off)
开通/关断延时 (25°C) 23ns/111ns

STGW15H120F2 产品详情

这些器件是使用先进的专有沟槽栅极场阻结构开发的IGBT。这些器件是改进的H系列IGBT的一部分，代表了传导和开关损耗之间的最佳折衷，以最大化高频转换器的效率。此外，轻微正V_{行政长官（sat）}温度系数和非常紧密的参数分布导致更安全的并联操作。

特色

最高结温：T_J=175°C
高速开关系列
最小化尾电流
五、_{行政长官（sat）}=2.1 V（典型值）@I_C=15年
T时的最小短路耐受时间为5μs_J=150°C
安全并联
低热阻

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STG4158BJR	意法半导体 (STMicroelectronics)	电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 600毫欧姆 (Typ) 供应商设备包装: 6-FlipChip (1.23x0.83) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA）安装类别: 表面安装	¥42.39571
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STGW15H120F2所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGW15H120F2 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGW15H120F2价格参考￥22.380561，你可以下载 STGW15H120F2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGW15H120F2规格参数、现货库存、封装信息等信息！