9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGB30H65FB，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGB30H65FB价格参考1.34750美元。STMicroelectronics STGB30H65FB封装/规格：IGBT。您可以下载STGB30H65FB英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STGB20V60DF是IGBT 600V 40A 167W D2PAK，包括600-650V IGBT系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.079014盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB以及标准输入类型，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为D2PAK，该设备为单配置，该设备的最大功率为167W，反向恢复时间trr为40ns，集电器Ic最大值为40A，集电器-发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为沟槽场阻，集电器脉冲Icm为80A，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，20A，开关能量为200μJ（开）、130μJ（关），栅极电荷为116nC，25°C时的Td为38ns/149ns，测试条件为400V、20A、15V，Pd功耗为167 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，且集电极-发射极饱和电压为1.8V，且25℃时的连续集电极电流为40A，且栅极-发射极漏电流为250nA，且最大栅极-发射极电压为20V，且持续集电极电流Ic-Max为20A。
带有用户指南的STGB20V60F，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于2.2V@15V，20A Vce on Max Vge Ic，单位重量如数据表注释所示，用于0.070548盎司，提供400V、20A、15V、Td on off等测试条件功能。25°C设计用于38ns/149ns，以及200μJ（开）、130μJ（关）开关能量，该设备也可以用作D2PAK供应商设备包。此外，该系列为600-650V IGBT，该器件提供167W最大功率，该器件具有167W Pd功耗，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+175 C，最大栅极-发射极电压为+/-20 V，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻型，栅极-发射极漏电流为250 nA，栅极电荷为116nC，集流器脉冲Icm为80A，集流器Ic Max为40A，25 C时的连续集流器电流为40A，且配置为单，且集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，且集极-发射极饱和电压为1.8 V。
STGB20NC60VT4是IGBT 600V 60A 200W D2PAK，包括60A集电器Ic Max，它们设计用于100A集电器脉冲Icm，数据表注释中显示了用于100nC的栅极电荷，该100nC提供输入类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，以及to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，最大功率为200W，该设备采用PowerMESH？系列，该设备具有供应商设备包的D2PAK，开关能量为220μJ（开）、330μJ（关），25°C时的Td为31ns/100ns，测试条件为390V、20A、3.3 Ohm、15V，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V、20A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
