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STGP40V60F

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 283 W 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 13.30496 13.30496
10+ 11.71803 117.18034
30+ 10.71963 321.58911
100+ 9.70022 970.02200
500+ 9.23780 4618.90250
1000+ 9.03812 9038.12500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥13.30496
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥13.30
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 输入类别 标准
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 安装类别 通孔
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 最大集电极电流 (Ic) 80 A
  • 最大整流电流 (Icm) 160 A
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 试验条件 400V, 40A, 10欧姆, 15V
  • 包装/外壳 至220-3
  • 供应商设备包装 TO-220
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.3V @ 15V, 40A
  • 最大功率 283 W
  • 开关能量 456J (on), 411J (off)
  • 门电荷 226 nC
  • 开通/关断延时 (25°C) 52ns/208ns

STGP40V60F 产品详情

40A超高速沟槽栅场停IGBT
特征
最高结温:=175�C超高速开关系列

无尾关闭低饱和电压:VCE(sat)1.8 V(典型值)40 A紧密参数分布安全并联

应用

光伏逆变器不间断电源焊接功率因数校正甚高频转换器

描述

该器件是使用先进的专有沟槽栅极和场停止结构开发的IGBT。该器件是“V”系列IGBT的一部分,代表了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷,以最大化非常高频转换器的效率。此外,正的VCE(sat)温度系数和非常紧密的参数分布导致更安全的并联操作。表1。设备摘要

包装机械数据。11包装机械数据。17修订历史。19

符号VCES IC ICP(1)VGE PTOT TSTG TJ参数集电极-发射极电压(VGE=0)连续集电极电流25�C连续集电极电流100�C脉冲集电极电流栅极发射极电压总耗散25�C存储温度范围工作结温度值至175单位�C

1.脉冲宽度受最大结温度限制,并在RBSOA内关闭

符号RthJC RthJA参数热阻接线盒IGBT热阻接线环境值0.53 50单位�C/W公司


特色

  • 最高结温:TJ=175°C
  • 无尾关闭
  • 五、行政长官(sat)=1.8 V(典型值)@IC=40年
  • 紧密参数分布
  • 安全并联
  • 低热阻
STGP40V60F所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGP40V60F 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGP40V60F价格参考¥13.304961,你可以下载 STGP40V60F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGP40V60F规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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