STGD3NC120H-1

Name: STGD3NC120H-1
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7173066-STGD3NC120H-1
Price: 23.597368 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 16 A 最大功率: 105瓦供应商设备包装: IPAK (TO-251) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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规格参数

IGBT型 -
输入类别标准
反向恢复时长 (trr) -
安装类别通孔
部件状态过时的
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
集电极击穿电压 1200伏
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
包装/外壳 TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
最大集电极电流 (Ic) 16 A
最大整流电流 (Icm) 20A
门电荷 24 nC
最大功率 105瓦
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.8V @ 15V, 3A
开关能量 236J (on), 290J (off)
开通/关断延时 (25°C) 15ns/118ns
试验条件 800V, 3A, 10欧姆, 15V
供应商设备包装 IPAK (TO-251)

STGD3NC120H-1 产品详情

该器件是一种使用先进PowerMESH开发的非常快速的IGBT？技术该过程保证了切换性能和低导通状态行为之间的良好平衡。该设备非常适合谐振或软开关应用。

特色

高压能力
高速

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STGD3NC120H-1所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGD3NC120H-1 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGD3NC120H-1价格参考￥23.597368，你可以下载 STGD3NC120H-1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGD3NC120H-1规格参数、现货库存、封装信息等信息！