9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGP3NB60F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGP3NB60F价格参考2.33美元。STMicroelectronics STGP3NB60F封装/规格：IGBT 600V 6A 68W TO220。您可以下载STGP3NB60F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGP35HF60W是IGBT 600V 60A 200W TO220，包括600-650V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130盎司，提供通孔等安装类型功能，封装盒设计用于to-220-3，以及标准输入型，该设备也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-220，该设备为单配置，该设备最大功率为200W，集电器Ic最大值为60A，集电器-发射极击穿最大值为600V，集电器脉冲Icm为150A，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，20A，开关能量为290μJ（开），185μJ（关），栅极电荷为140nC，25°C时的Td为30ns/175ns，测试条件为400V、20A、10 Ohm、15V，Pd功耗为200 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.65 V，25 C时的连续集电极电流为60 A，并且栅极发射极漏电流为100nA，并且最大栅极发射极电压为20V，并且连续集电极电流Ic-Max为35A。
STGP35N35LZ是IGBT 345V 40A 176W TO220，包括345V集电极-发射极击穿最大值，设计为在4.5V时工作1.7V，最大Vge Ic时工作15A Vce，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130盎司，提供300V、15A、5V、Td开-关25°C等测试条件功能。设计为在1.1μs/26.5μs下工作，除了TO-220-3供应商设备包，该设备还可以用作PowerMESH？系列此外，最大功率为176W，该设备提供176 W Pd功耗，该设备有一个包装管，包装箱为TO-220-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，输入类型为逻辑，栅极-发射极漏电流为830uA，栅极电荷为49nC，集电极脉冲Icm为80A，集电极Ic最大值为40A，25℃时的连续集电极电流为40A。集电极-发射极饱和电压为1.7V。
带有电路图的STGP3HF60HD，包括7.5A集流器Ic Max，它们设计用于18A集流脉冲Icm，数据表注释中显示了用于12nC的栅极电荷，该12nC提供输入类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作管封装。此外，功率最大值为38W，该设备提供85ns反向恢复时间trr，该设备具有供应商设备包的TO-220，开关能量为19μJ（开）、12μJ（关），25°C时的Td为11ns/60ns，测试条件为400V、1.5A、100 Ohm、15V，最大Vge Ic上的Vce为2.95V@15V、1.5A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
